化學氣相沉積(CVD)工藝專用氮氣檢測儀應用背景：

在化學氣相沉積(CVD)工藝中，氮氣是保障薄膜質量與工藝安全的關鍵氣體，既作為載氣輸送反應氣體(如硅烷、氨氣)，又作為保護氣隔絕空氣(防止晶圓氧化、抑制反應氣體爆炸)。若氮氣純度不足(含氧量≥10ppm)或發(fā)生泄漏，會導致薄膜摻雜氧化雜質、反應腔室壓力異常，甚至引發(fā)硅烷等可燃氣體爆炸風險。本解決方案通過專用氮氣檢測儀，構建 “純度監(jiān)測 + 泄漏預警 + 智能調控” 體系，確保 CVD 工藝穩(wěn)定與安全。

產品資料

深國安SGA-500氮氣檢測儀采用工業(yè)級鋁合金防爆外殼，堅固耐用;2.4英寸超大屏幕，完美顯示目標氣體、濃度、單位、指示燈工作狀態(tài)等各項參數(shù);中英文、繁體，操作界面，適合所有人群;強大聲光報警功能，三級報警點自由設置，當氣體濃度超標時，自動發(fā)出85dB以上的報警聲響。同時支持一鍵消音;強大的數(shù)據(jù)存儲功能，客戶可通過有線或無線連接，將數(shù)據(jù)打印或導出;國外原裝進口芯片，精度高、穩(wěn)定性強、誤差率低;SGA-500氮氣檢測儀支持多種信號傳輸，兼容90%以上廠家的氣體報警控制器、PLC、DCS、DDC等上位機系統(tǒng);全量程溫濕度補償，32位納米級微處理器+24位超高ADC采集芯片，確保產品在長期運行過程中的數(shù)據(jù)穩(wěn)定。

化學氣相沉積(CVD)工藝專用氮氣檢測儀布設方案

(一)精準安裝布局

氮氣純度監(jiān)測區(qū)域：

在氮氣純化系統(tǒng)出口管路(距純化系統(tǒng) 1 米內)安裝 1 臺氮氣檢測儀，采用管道式安裝(直接接入管路，無需采樣管);

在反應腔室氮氣入口閥后(距閥門 0.5 米)安裝 1 臺氮氣檢測儀，實時監(jiān)測進入腔室的氮氣純度，避免純化后二次污染。

泄漏與安全監(jiān)測區(qū)域：

在每臺 CVD 設備反應腔室兩側(距腔室 0.5 米)各安裝 1 臺氮氣檢測儀，壁掛式安裝，監(jiān)測腔室密封泄漏;

在氮氣輸送管路每 10 米處、關鍵閥門接頭處各安裝 1 臺氮氣檢測儀;

在車間巡檢通道(距地面 1.2 米)每隔 15 米安裝 1 臺氮氣檢測儀，監(jiān)測整體泄漏導致的缺氧風險。

(二)智能聯(lián)動控制(三級響應機制)

一級預警(純度預保護)：

觸發(fā)條件：氮氣純度降至 99.999%(氧含量≥10ppm);

聯(lián)動動作：黃色聲光報警，氮氣純化系統(tǒng)自動切換至備用過濾模塊，提升純度;CVD 設備操作屏顯示預警信息，提醒操作員檢查純化系統(tǒng)。

二級報警(工藝干預)：

觸發(fā)條件：氮氣純度≤99.99%(氧含量≥100ppm)，或反應腔室周邊氧濃度≤20.0% VOL(氮氣泄漏);

聯(lián)動動作：紅色聲光報警，CVD 設備暫停薄膜沉積作業(yè)，反應腔室氮氣補氣閥開啟，維持腔內惰性氛圍;若氧濃度持續(xù)下降，自動關閉硅烷等反應氣體供應閥門，防止爆炸風險。

三級緊急(人員安全干預)：

觸發(fā)條件：車間任何區(qū)域氧濃度≤19.5% VOL(缺氧);

聯(lián)動動作：應急廣播啟動，新風系統(tǒng)滿負荷運行(補充新鮮空氣)，氮氣輸送總閥關閉(切斷泄漏源)，直至氧濃度恢復至≥20.8% VOL。

氮氣檢測儀運維管理與工藝適配保障

1.定期校準計劃：

氮氣檢測儀：每月用 10ppm、50ppm 標準氧氣體進行零點與量程校準，校準在潔凈氮氣環(huán)境中完成，避免空氣干擾;

氮氣檢測儀：每季度用 21% VOL(空氣)與 19.5% VOL 標準氧氣體校準常規(guī)氧模塊，確保安全監(jiān)測精度。

2.日常維護要點：

每日班前檢查檢測儀顯示狀態(tài)、采樣口 / 管路密封性(管道式安裝需確認接口無泄漏);

每季度清潔檢測儀表面(用無塵布蘸異丙醇擦拭，避免顆粒殘留)，檢查高溫區(qū)域檢測儀的散熱情況;

每半年更換微量氧檢測儀的濾膜(Class 100 級)，防止反應氣體殘留堵塞氣路。

3.工藝協(xié)同優(yōu)化：

數(shù)據(jù)聯(lián)動：將氮氣純度數(shù)據(jù)與薄膜質量檢測結果(如電阻率、薄膜厚度)關聯(lián)，若某批次純度波動大且薄膜缺陷增多，優(yōu)化純化系統(tǒng)維護周期;

工藝適配：當 CVD 工藝調整(如沉積材料從硅烷換為氮化硅，氮氣純度要求提升至 99.9995%)時，同步下調微量氧報警閾值(從 10ppm 降至 5ppm)，確保防護匹配新工藝需求。

化學氣相沉積(CVD)工藝專用氮氣檢測儀應用方案價值

通過本解決方案，可實現(xiàn) CVD 工藝氮氣 “純度精準控制 + 泄漏實時預警”：一方面將氮氣純度穩(wěn)定控制在≥99.999%，薄膜氧化缺陷率下降 25%-30%，沉積均勻度提升 15%;另一方面有效規(guī)避氮氣泄漏導致的缺氧與爆炸風險，保障人員安全;同時，免頻繁停機校準的特性(微量氧檢測儀支持 3 個月校準 1 次)，降低對 CVD 工藝連續(xù)性的影響，為半導體薄膜沉積的高質量生產提供可靠支持。